| 표시 제목 | 강대원 |
| 기본 정렬 키 | 강대원 |
| 문서 길이 (바이트) | 2,468 |
| 이름공간 ID | 0 |
| 문서 ID | 25489 |
| 문서 내용 언어 | ko - 한국어 |
| 문서 내용 모델 | 위키텍스트 |
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| 위키베이스 항목 ID | 없음 |
설명 | 내용 |
문서 설명: (description)
This attribute controls the content of the description and og:description elements. | 서울에서 출생했으며, 한국전쟁 기간중에 통역장교로 해병대 복무를 마치고 복학하여 1955년에 서울대학교 물리학과를 졸업하였다.[1] 오하이오 주립대학교 전자공학과에서 1956년에 석사 및 1959년에 박사학위를 받았다. 오하이오 주립대학교에서는 성장중인 산화층을 통과하여 실리콘에 불순물을 확산시키는 연구를 하였다. 1959년부터 벨 연구소에서 근무하였으며, 여기서 1960년에 마틴 아탈라(Martin Mohammed John Atalla)와 공동으로 금속-산화층-반도체 전계효과 트랜지스터 (MOSFET)을 최초로 개발하였고, 결정성 실리콘 기판에 설치된 강한 전기장 전자 장치(hot electron device)에서 불순물 주입을 연구하였다. |